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从理论上讲,可以通过应用D-Wave Altermagnetism,可以在二维Z 2拓扑内硫酸(即Kane-Mele模型)中诱导Chern数字可调量子异常霍尔效应(QAHE)和二阶拓扑绝缘子。当Altermagentism的N´Eel向量位于X-Y平面中时,Z 2 Ti被损坏并驱动到二阶拓扑绝缘体阶段,在Nano akes上显示了代表性的角状态。当进一步包括固有的rashba自旋轨道耦合时,二阶Ti被进一步驱动到Qahe阶段,具有各种Chern数字(例如C =±1或±3)。当n´eel向量沿z方向时,固有的rashba旋转轨道耦合对于打破镜像对称性是必要的,以使二阶Ti和Qahe的顺序出现以及增加的异端力强度的提高。我们还观察了混合手续的Qahe,即存在反传播的边缘模式,但在色带边界处存在净手性电流。我们的作品表明,Altermagnetism在探索各种各样的拓扑阶段中起着至关重要的作用,就像其铁磁性和反铁磁性一样。

arxiv:2412.20129v1 [cond-mat.mes-hall] 2024年12月28日

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